参数设置对磁记忆技术判断缺陷灵敏度的影响
研究了提离值b和记录数据间隔s对磁记忆技术判断缺陷灵敏度的影响.结果表明:垂直于缺陷主平面检测时,b为0～10mm时,磁场强度Hp(y)随b值增大下降较为明显,磁场梯度K值成线性下降;b＞10mm时,Hp(y)和K随b增大均下降较小.对于磁信号异常较为明显的部位,本试验中可最大在距其55mm远的距离检测到信号异常.为得到较高的灵敏度,提高检测准确度,在不损伤探头的前提下,应尽量减小b值.s大小对磁记忆信号影响较小,但也不可太大.
缺陷检测 磁记忆 灵敏度 提离值 记录数据间隔
郭鹏举 赵海江 关卫和
合肥通用机械研究院特种设备检验站,230031
国内会议
西安
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202-204
2014-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）