一种基于线性插值的SRAM LIB快速生成算法
静态随机存储器(SRAM)越来越多地被当作宏模块使用,它的时序模型在很大程度上制约着后端物理设计.针对SRAM的时序特征参数提取速度慢的问题,提出了一种基于线性插值的SRAM输出端口Q延时时间的快速生成算法.此算法是基于一款130nm商用工艺单端口SRAM结构的规整性和容量变化的规律性,运用了一维线性分段函数的思想,快速生成Q端口延迟信息.实验数据表明:算法生成的数据误差在允许范围内,该算法能在生成时序参数的速度和精度之间做出权衡.
静态随机存储器 LIB视图 时序参数 线性插值
陈通 赵振宇 陈建军 胡昆昆
湖南省长沙市国防科技大学计算机学院 410073
国内会议
贵阳
中文
360-365
2014-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）