9T-SRAM单元设计与实现

摘要：

本文完成了9T-SRAM单元的设计与实现，从电流方程推导出了晶体管尺寸的设计原则，并在此基础上实现了电路设计，完成了静态性能和动态性能的仿真。该结构的SRAM单元有效的避免了读扰动问题，在纳米工艺下具有良好的稳定性能。

关键词： 静态随机存取存储器 电路设计 静态性能 动态性能 读扰动

作者: 赵信 黄金明 冯勇 王飙

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届计算机工程与工艺年会暨第四届微处理器技术论坛

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 446-452

在线出版日期: 2014-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）