忆阻器关键技术的研究
本文介绍了忆阻器的基本特性和外围集成电路的整体构架，并且针对器件本身的缺陷，也在策略和电路方面给出了解决方案，但继续提升电路的读写速度和数据的完整性方面仍然是研究的重点部分。忆阻器作为目前存储技术中最热门的方向之一，其成果或可取代已接近“穷途末路”的硅晶体管，最终改变整个计算机行业，而惠普正在着手研制的3纳米级忆阻器，其开、关时间只需10亿分之一秒。随着技术的发展，外围电路遇到的挑战也越来越多，要求不断研究出拥有更快的速度、更完整的数据读写和更低的功耗的电路。
忆阻器 外围电路 读写方式 数据完整性
杨顺 马驰远 方粮
湖南省长沙市国防科技大学计算机学院 410073
国内会议
贵阳
中文
44-51
2014-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）