流化床-化学气相沉积(FB-CVD)法制备细晶SiC包覆层

摘要：

SiC包覆层是高温气冷堆核燃料元件TRISO包覆颗粒最关键的一层.制备细晶SiC包覆层对阻挡裂变产物释放、提高SiC包覆层承压能力等具有重要意义.本文通过流化床-化学气相沉积方法,在1550℃条件下,在MTS裂解气体过程中引入脉冲丙烯气体,研究丙烯掺杂对SiC晶粒生长过程的影响.材料表征分析表明通过引入脉冲丙烯气体可以成功制备细晶SiC包覆层,实验研究给出了最佳的丙烯、氢气、氩气、MTS载带气配比,并结合晶体生长机理,给出了细晶制备的过程分析.

关键词： 高温气冷堆 核燃料元件 碳化硅包覆层 流化床 化学气相沉积 晶粒生长

作者: 刘荣正 刘马林 常家兴 王子梁 邵友林 刘兵 王永欣

作者单位: 清华大学核能与新能源技术研究院,先进核能技术协同创新中心,北京100084 清华大学核能与新能源技术研究院,先进核能技术协同创新中心,北京100084;西北工业大学,陕西西安710072 西北工业大学,陕西西安710072

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会2015年学术年会

会议地点: 四川绵阳

会议语种:中文

页码: 171-175

在线出版日期: 2015-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）