一款铁电存储器的电离总剂量效应研究
铁电存储器由于自身的非易失特点,在航空航天等领域得到广泛应用.本文针对某款铁电存储器进行了电离总剂量辐照试验,测试了其数据读、写功能及功耗电流随电离总剂量的变化,研究了铁电存储器的电离总剂量效应,初步分析了其损伤机理.然后对其电离总剂量辐射效应进行初步探索分析,主要是面向应用研究了其数据保持能力和功耗电流随电离总剂量的变化,并与传统半导体存储器和以前的FRAM型号产品抗辐射能力进行了比较。
铁电存储器 辐射效应 损伤机理 抗辐射能力
牛振红 张力 白锦良 李建华 李志峰 刘佳琪
试验物理与计算数学国家级重点实验室,北京100076;北京航天长征飞行器研究所,北京100076
国内会议
四川绵阳
中文
20-24
2015-09-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)