忆容器模型及其在混沌振荡器中的应用

摘要：

忆容器是一种具有记忆效应的新型电容器.在实际忆容器尚未出现的情况下,为探索忆容器及其在非线性电路中的特性,建立了一种荷控忆容器数学模型及其等效电路模型,基于该模型设计了一种荷控忆容器振荡器.采用理论分析、仿真分析和实验验证的方法,分析了其基本动力学特性.分析结果表明,该振荡器除呈现典型的倍周期分岔和周期三窗口外,在一定范围内对荷控忆容器的参数呈现一种恒定混沌和恒定Lyapunov指数现象;其它电路参数变化时出现一种突发混沌现象和混沌→周期3→周期6→周期3→混沌的复杂分叉,以及倒倍周期分叉.通过仿真和实际实验观察到了振荡器中的一些隐性变量电荷、磁通以及电荷积分量的变化规律及其分叉特性.

关键词： 混沌振荡器 电路参数 分叉特性 忆容器模型

作者: 王光义 蔡博振 靳培培 胡体玲

作者单位: 杭州电子科技大学现代电路与智能信息研究所,射频电路与系统教育部重点实验室,浙江杭州 310018

会议类型: 国内会议

会议名称: 杭州电子科技大学第八届研究生IT创新学术论坛

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 311-323

在线出版日期: 2015-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）