单一导电属性单壁碳纳米管的控制制备
单壁碳纳米管(SWCNT)因直径和螺旋角的不同可表现为金属性(m-)或半导体性(s-).为构建基于碳纳米管的高性能场效应晶体管等电子器件及其集成电路,需获得单一导电属性的碳纳米管,而通常制备的样品是约1/3金属性和2/3半导体性碳纳米管的混合物.因此,发展直接、宏量、可控生长单一导电属性碳纳米管的方法是当前本领域研究的重点和难点,也是制约碳纳米管在纳电子器件等领域应用的”瓶颈冶问题.。提出“直径控制-原位刻蚀”选择性生长m-SWCNT的控制制备思路。通过调控催化剂结构及优化碳纳米管生长的热力学和动力学条件,实现了直径较大m-SWCNT和直径较小s-SWCNT的生长,再利用其直径依赖的反应活性差异原位选择性去除小直径s-SWCNT,最终获得大直径m-SWCNT。基于m-SWCNT的高导电性,在宏量制备的基础上发展了干法转移技术,获得了大面积、柔性、高性能的透明导电薄膜。
半导体材料 单壁碳纳米管 制备工艺 热力学 动力学
侯鹏翔 李文山 刘畅 成会明
中国科学院金属研究所,沈阳材料科学国家(联合)实验室110016
国内会议
长沙
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1-1
2015-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）