半导体型与金属型单壁碳纳米管的“原位冶选择性制备及其研究进展
单壁碳纳米管(SWNTs)以其优异的电学特性成为制备新一代高性能集成电路的重要材料.目前普通方法制备的SWNTs均为金属型和半导体型碳纳米管的混合物,极大地阻碍了SWNTs在微纳电子器件领域的应用.实现不同结构与性能SWNTs的有效分离是解决SWNTs研究与应用困境的有效途径.以金属型SWNTs(m-SWNTs)和半导体型SWNTs(s-SWNTs)的选择性制备为目标,系统分析和比较近几年发展的“原位”选择性制备的主要技术和方法,并在此基础上总结了SWNTs的金属型和半导体型控制生长的基本思路及实现途径,以期为后续SWNTs的规模化制备奠定基础.
半导体材料 单壁碳纳米管 选择性制备
罗成志 李芳莹 潘春旭
武汉大学深圳研究院,深圳518057;武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072 武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072
国内会议
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1-9
2015-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）