碲镉汞红外焦平面探测器衬底全去除技术研究
基于去衬底对提高碲镉汞(MCT)红外焦平面探测器可靠性的重要意义,本文主要从湿法腐蚀液的选择、腐蚀液配比、腐蚀方式、不同厚度衬底的腐蚀对HgCdTe表面形貌的影响以及衬底去除后探测器HgCdTe表面后处理工艺等方面对碲锌镉(CZT)基、砷化镓(GaAs)基大面阵MCT器件衬底全去除进行了研究.确立腐蚀液最优配比,确保CZT、GaAs衬底去除速率在2.5-3μm/min,获得了表面光亮的无衬底MCT器件.器件性能测试结果表明,衬底去除提升了探测器性能,器件经过100次高低温冲击后性能无明显变化.
红外焦平面探测器件 碲镉汞 衬底去除 表面处理
钟艳红 廖清君 刘丹 胡晓宁 林春
中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
国内会议
南京
中文
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2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）