封闭式热场对晶体纵向氧含量的影响

摘要：

该文生要研究封闭式热场（Ｃｌｏｓｅ Ｈｏｔ Ｚｏｎｅ）对晶体纵向氧含量的影响。并与敞开式热场（Ｏｐｅｎ Ｈｏｔ Ｚｏｎｅ）进行了比较，再通过适当调节熔料功率、埚位、埚转等工艺条件参数，拉制出Φ１５０ｍｍ低氧硅单晶（氧含量：２０～２８ｐｐｍａ）。

关键词： 封闭式热场 晶体生长 纵向氧含量 硅 工艺

作者: 张向东

作者单位: 硅材料厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 59～60

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）