含涂层亚微米单晶柱的约束塑性行为

摘要：

通过基于离散位错动力学的多尺度晶体塑性计算方法系统研究了涂层微柱中的位错机制.结果表明,单臂源的开动是塑性变形的主导机制.同时根据模拟结果,建立了考虑涂层钉扎和背应力效应的单臂源开动应力公式,揭示了背应力与截获位错密度的线性关系.该结果与高阶晶体塑性理论推导的结果吻合良好,并且可直接用于确定连续背应力模型中的材料长度参数.基于上述结论,建立了考虑单臂源随机分布的理论模型,预测了应力-应变曲线的上下限,与模拟结果吻合良好.

关键词： 微电子器件 涂层微柱 约束塑性行为 单臂源 背应力 截获位错密度

作者: 崔一南 柳占立 庄茁

作者单位: 清华大学航天航空学院,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 北京力学会第21届学术年会暨北京振动工程学会第22届学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 4-15

在线出版日期: 2015-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）