硅基异质结太阳电池钝化层工艺的研究

摘要：

通过引入a-SiOx:H(i)层，其钝化效果比a-SiOx:H(i)层的效果更佳，但此方法会造成电池FF的下降。当a-SiOx:H(i)成膜条件越接近硅烷耗尽区，薄膜的钝化效果越好，其H含量与R因子出现显著下降。通过各步工艺的整合优化，研发出转化效率为20.90％的常规SHJ太阳电池，和20.44%的可弯曲薄型电池。

关键词： 太阳电池 非晶硅 钝化工艺 转化效率

作者: 杨苗 郁操 张悦 王建强 易志凯 杨益 张津岩 徐希翔

作者单位: 汉能高端装备产业集团成都研发中心,610200 汉能高端装备产业集团成都研发中心,610200;北京工业大学薄膜科学技术与研究实验室,北京100124 四川汉能光伏有限公司,四川610200

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 7-9

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）