会议专题

ALD Al2O3对晶硅表面钝化效果的研究

本文较系统的研究了ALD方法Al2O3厚度、淀积模式、晶面、退火温度和时间对钝化效果的影响。ALD的Plasma模式淀积Al2O3的速率相对较快,且尤其适合粗糙的金字塔表面的晶硅样品。对于市场上普通的太阳能级单晶硅片,亦可以获得高达263uS的少子寿命。

太阳电池 晶体硅 原子层沉积 氧化铝

李成栋 陆嘉文 余林蔚 徐骏

南京大学电子科学与工程学院,固体微结构物理国家重点实验室,南京210046

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2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

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2015-10-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)