采用UPS测量太阳能级单晶硅表面功函数

摘要：

Si2p3/2态峰位的化学位移量与截止边的化学位移量(UPS谱线的化学位移量)非常接近，如果选择刻蚀后Si2p3/2态的峰位99.24eV作为标准峰位，这与之前报道的Si2p3/2标准峰位一致，那么直接利用XPS测试硅片表面Si2p态，得到存在化学偏移的Si2p3/2峰位，计算出化学平移量，作为功函数测量的参考值是可行的一种做法。再利用UPS直接测得硅片表面的价带谱，将价带谱（截止边）进行适当平移（与Si2p3/2平移量相同），就可推算得到太阳能级单晶硅片的表面功函数：n-Si和p-Si的表面功函数分别为4.28和5.01eV。

关键词： 太阳电池 单晶硅片 表面功函数 化学平移量

作者: 高明 杜汇伟 杨洁 陈姝敏 徐静 马忠权

作者单位: 上海大学物理系,索朗光伏材料与器件R&D联合实验室,上海200444 上海大学分析测试与结构研究中心,上海200444 上海大学物理系,索朗光伏材料与器件R&D联合实验室,上海200444;上海大学分析测试与结构研究中心,上海200444

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 15-17

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）