基于太阳能级多晶硅制备多晶硅太阳电池的抗PID研究

摘要：

本文研究了太阳能级多晶硅不同区域硅片对太阳电池性能的影响，以及对比研究了太阳能级多晶硅和电子级多晶硅的抗PID效应。结果表明，利用太阳能级多晶硅制备的太阳电池平均转换效率为17.5％-17.8%，只比电子级多晶硅低0.2%；但是太阳能级多晶硅制备的太阳电池具有较大的漏电流，超过10%的电池的漏电流大于0.5A。在最终的组件PID测试中，没有抗PID层的组件功率衰减47.55%，而具有抗PID层的电子级多晶硅和太阳能级多晶硅太阳电池组件分别衰减0.93%和1.1%。

关键词： 硅太阳电池 制备工艺 抗PID效应 漏电流大小

作者: 许颖 麦耀华 陈静伟 陈剑辉 朱红兵

作者单位: 河北省光电信息材料重点实验室,河北大学物理科学与技术学院,保定071002

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 84-86

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）