应用先进成像方法表征多晶硅电池中不同类型的缺陷
基于多晶硅电池的复合性质和反向击穿机制，提出了一种区分不同类型缺陷的方法。不同类型的缺陷会在带间发光（正向偏压的电致发光成像）、亚带发光（正向偏压并带1400nm高通滤光片的电致发光成像）和预击穿发光（反向偏压电致发光成像）上面显示出不同的性质。对于处在不同深度的缺陷，它们在电致发光成像中显示出不同的击穿性质。在发射区或靠近前表面的缺陷几乎没有反向偏压的电致发光信号，而在P-N结附近或在衬底体材料中的缺陷，在同样的外加偏压下显示出很强的电致发光信号。因此，对于任意硅基的太阳能电池，不同种类的缺陷和不同深度的缺陷可以仅仅通过一张正偏压EL图、一张亚带发光EL图和几张反向偏压EL图就轻松的区分出来。
硅太阳电池 缺陷检表征 电致发光成像
娄世殊 韩培德
中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京100083
国内会议
北京
中文
92-94
2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）