BZO薄膜退火研究及对非晶硅薄膜太阳电池性能的影响

摘要：

本文研究了H2气氛下退火对BZO薄膜电学和光学性能影响，结果表明退火后可以提高BZO薄膜的迁移率而增大BZO薄膜的导电能力，同时可以通过减小薄膜的厚度来提高BZO薄膜光学和电学的综合性能。对较小膜厚BZO进行退火后作为前电极而制备的非晶硅薄膜电池的转化效率提高约0.2％。本文结果表明：结合退火工艺，减小BZO前电极的厚度，不仅可以提高电池转化效率，而且同时可以降低生产成本，这对提高非晶硅薄膜的市场竞争力具有重要意义。

关键词： 薄膜太阳电池 半导体薄膜 退火过程 光电性能

作者: 李旺 刘路 刘石勇 王仕鹏 黄海燕 陆川 牛新伟

作者单位: 浙江正泰太阳能科技有限公司;浙江大学硅材料国家重点实验室 浙江正泰太阳能科技有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 111-114

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）