硅基量子结构材料及在HIT太阳电池中的模拟研究

摘要：

本文利用理论分析，得到了Si/Ge量子点结构的能带、以及量子点阵列的隧穿性能；利用silvaco仿真软件对含量子点的HIT电池进行模拟，结果显示前侧量子点电池可以有效增加短路电流，而由于量子点体内、a-Si:H/c-Si界面的高复合率，开路电压显著下降。高质量的非晶硅表面钝化可以有效降低界面缺陷态，有助于维持引入QDs至受光面HIT太阳电池的开路电压。

关键词： 硅太阳能电池 硅基量子材料 隧穿性能 开路电压

作者: 张晓宇 张丽平 刘正新

作者单位: 中科院上海微系统与信息技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 150-152

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）