过渡区p层氢化硅氧薄膜的微观结构和光电特性研究

摘要：

本文介绍了p型窗口层起在a-Si:H薄膜太阳电池着至关重要的作用，因为p层作为太阳电池窗口层，通常具有较宽的光学带隙、高电导，所以p层是提高太阳电池性能的关键。制备了P型氢化硅氧薄膜，研究了CO流量对薄膜沉积速率、微结构和光电特性的影响，结果显示随着CO流量的增加，薄膜由纳米晶向非晶硅过渡，当薄膜材料由微晶向非晶态过渡，晶化率约为45％，SiO:H薄膜的光学带隙EO4=2.41eV，暗电导大约为1.5×10-2S/cm.

关键词： 薄膜太阳电池 p窗口层 氢化硅氧 微观结构 光电特性

作者: 李同锴 徐征

作者单位: 北京交通灯大学光电所,100044;石家庄铁道大学数理系,050043 北京交通灯大学光电所,100044

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 153-155

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）