碳化硅薄膜对硅基薄膜太阳电池界面特性的调控研究

摘要：

本文将不同H稀释度的本征非晶SiC薄膜应用于p/i界面缓冲层，发现电池的Jsc与SiC薄膜的无序度密切相关，而Voc主要跟电池的结特性相关。此外，还将n型c-SiC薄膜应用于n/metal界面层，发现其能显著增加电池的长波响应，这可能是低折射率的n—c-SiC增强了背反射能力。研究结果显示不同特性的SiC薄膜对提高硅基薄膜太阳电池性能的潜在能力。

关键词： 薄膜太阳电池 界面特性 碳化硅薄膜 长波响应

作者: 李红江 段娟梅 王维燕 黄金华 方旭阳 宋伟杰

作者单位: 中科院宁波材料技术与工程研究所,315021

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 168-170

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）