用于CIGS太阳电池组件的SiNx离子阻挡层制备与性能研究

摘要：

采用在线中频磁控溅射设备对掺Al的Si单质靶在N2气氛下进行反应溅射，在1245×635mm2的SLG上均匀沉积了SiNx薄膜，研究了溅射参数对SiNx薄膜性能的影响，结果表明：随着溅射气体总流量和N2/Ar比的增大，SiNx的折射率和沉积速率均呈现减小的趋势、红外吸收光谱Si-N-Si键伸缩振动特征峰对应的波数升高；当N2/Ar比超过1:2，SiNx的折射率在2.0附近变化趋于饱和。退火可以显著改善SiN。薄膜的Na离子阻挡性能和附着力；在无破空的连续溅射条件下制备Mo背电极更有利于改善Na离子阻挡性能。

关键词： 薄膜太阳电池 化合物半导体 制备工艺 溅射参数 物理性能

作者: 田晶 何静婧 王溢欢 李建清 王越 赵辉 黄昭雄 Jovana Djordjevic-Reiss 李沅民 徐希翔

作者单位: 汉能高端装备产业集团成都研发中心,成都610200 Solibro Hi-Tech Gmbh,Germany 06766

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 6-9

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）