H2Se/H2S硒硫化制备超薄铜铟镓硒硫太阳电池的研究
本文阐述了共溅射制备金属预制层，由于In熔点较低，薄膜表面存在较多凸起聚集物。经过低温硒化，薄膜表面粗糙度有所改善，但结晶质量较差，且存在合金相和二元相。高温退火处理加速元素间反应，薄膜为单一黄铜矿结构，结晶质量明显改善，带隙中间态明显减少。短时间硫化不会对薄膜整体结晶质量和晶体结构产生明显影响，但电池性能改善明显，1μm吸收层电池效率达到15.41％。
太阳电池 制备工艺 金属预制层 转换效率
韩安军 黄勇亮 王宪 柳效辉 褚家宝 孟凡英 刘正新
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海201800
国内会议
北京
中文
13-16
2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）