高纯半导体性单壁碳纳米管在碲化镉电池背电极上的应用
(0) 通过旋涂法在CdTe表面制备了高纯半导体性单壁碳纳米管薄膜，得到了效率为9.71％的电池。并将S-SWNT/Au作背电极的CdS/CdTe电池与传统Cu/Au背电极的电池进行了比较。实验发现，采用95%S-SWNT/Au作背电极的CdS/CdTe电池，Jsc有明显的提升，而Voc和FF则与Cu/Au作背电极电池保持相当的水平。而其它的表征，如SWNT功函数以及电池的暗电流特性将会继续补充。研究表明，半导体性的碳纳米管是潜在的碲化镉电池背电极的替代材料，进一步优化能提升电池的填充因子，有望得到高效稳定的碲化镉太阳能电池。
碲化镉太阳电池 背电极 碳纳米管 填充因子
李彬 周航 李辉 刘向鑫
北京大学深圳研究生院信息工程学院,深圳518055 中国科学院电工研究所太阳能热利用及光伏系统重点实验室,北京100190
国内会议
北京
中文
27-30
2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）