覆盖纯氧化锌的掺铝氧化锌的退火研究

摘要：

本文通过在AZO薄膜上沉积一层厚度为55nm的无掺杂氧化锌(ZnO)层来提高AZO薄膜在高温退火过程中的稳定性。通过磁控溅射方法制备ZnO、AZO、AZO/ZnO多晶薄膜，并研究了CdCl2退火前后的AZO、AZO/ZnO多晶薄膜的电学、光学性质。为了还原在AZO/ZnO在CdTe电池制备过程经受的环境，还研究了覆盖了CdS和CdTe薄膜，并完成电池全部工艺过程的AZO/ZnO薄膜的电学、光学性质。

关键词： 半导体材料 掺铝氧化锌 纯氧化锌 高温退火 稳定性

作者: 杜忠明 李辉 刘向鑫 帅佳丽

作者单位: 中国科学院电工研究所太阳能热利用及光伏系统重点实验室,北京100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 34-36

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）