富铜生长时间对低温生长铜铟镓硒薄膜结构特性的影响

摘要：

本文采用低温三步共蒸发法在PI衬底上沉积CIGSe薄膜，薄膜为随机取向生长，并在深度方向显现出分层现象。CIGSe薄膜存在Ga的两相分离，薄膜底部和顶部为高Ga相的细碎小晶粒、薄膜中部为低Ga相的大晶粒。随着富Cu生长时间的延长，Cu2-xSe晶粒增多；薄膜内部的孔洞数量增多，Ga的两相分离现象得到改善。

关键词： 铜铟镓硒薄膜 功能结构 富铜生长时间 孔洞数量

作者: 曹章轶 吴敏 张冬冬

作者单位: 上海空间电源研究所,上海200245

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 45-47

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）