Cu2ZnSnS4薄膜的高温硫化反应研究

摘要：

本文选用耐高温的钼箔作为衬底，采用溅射Zn/Sn/Cu叠层前驱体，再进行硫化处理的方法制备Cu2ZnSnS4薄膜，研究前驱体在高温条件下的硫化反应。研究结果表明，硫化温度500℃和550℃时发生硫化反应，生成Cu2ZnSnS4结构；600℃和650℃条件下，Cu2ZnSnS4结构发生分解反应；硫化温度升高至700℃后，分解物发生逆反应重新生成Cu2ZnSnS4。

关键词： 半导体薄膜 制备工艺 硫化反应 温度控制

作者: 许佳雄

作者单位: 广东工业大学材料与能源学院,广州510006

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 53-55

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）