磁控溅射法制备Cu2ZnSn(S,Se)4(铜锌锡硫硒)薄膜太阳电池及其耗尽区宽度

摘要：

本文采用溅射后硒化的方法制备出具有P型半导体特性的CZTSSe薄膜，并在此基础上制备出效率为8％～10%的CZTSSe薄膜太阳能电池。采用C-V、DLCP等方法研究CZTSSe薄膜中Zn的含量对CZTSSe薄膜太阳电池的耗尽区宽度的影响。通过C-V和DLCP测试发现，当Zn含量较高时，CZTSSe吸收层载流子浓度较高，电池的耗尽区宽度较窄。

关键词： 薄膜太阳电池 制备工艺 锌元素 耗尽区宽度

作者: 李建军 张毅 孙云

作者单位: 南开大学光电子所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 78-80

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）