三步法制备Cu2ZnSnS4薄膜的研究

摘要：

本论文主要对三步法制备CZTS薄膜工艺进行了研究，通过对第二步蒸发时间、Zn源蒸发温度和Sn源蒸发温度进行研究，得到了比较适合制备CZTS薄膜的三步法工艺，分别确定为第二步蒸发时间为12min，Zn源蒸发温度为390℃，Sn源蒸发温度为950℃，并且制备出了效率为1.75％的电池。

关键词： 铜锌锡硫薄膜 制备工艺 蒸发温度 蒸发时间

作者: 赵微 张毅 李建军 刘晓茹 周志强 孙云

作者单位: 南开大学光电子薄膜与器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 83-84

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）