磁控溅射四元靶材法制备17.5%效率CIGS电池研究

摘要：

提高硒化过程中硒化氢浓度可以显著增大晶粒尺寸，但是本实验中并没有发现晶粒尺寸与光伏特性参数具有明显的相关性。通过在硒化退火处理后引入表面硫化处理，可以提高薄膜表面Ga含量。表面硫化处理后，S主要分布于近表面200nm范围内。表面硫化处理的引入可以使得薄膜禁带宽度沿纵向方向具有双梯度分布，从而使得样品在具有高开路电压的同时获得较高短流电流。最终，电池器件效率达到17.5％，这是目前采用磁控溅射四元陶瓷靶材法制备得到的最高效率。

关键词： 铜铟镓硒太阳电池 制备工艺 转换效率 开路电压

作者: 欧阳良琦 赵明 庄大明 巩前明 曹明杰 郭力 孙汝军 高泽栋 李晓龙

作者单位: 清华大学材料学院先进成形制造教育部重点实验室,北京100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 100-102

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）