固态硒源三步后硒化制备单相CIGS薄膜

摘要：

本论文对电沉积CuInGa金属预制层后硒化制备CIGS薄膜过程中普遍存在Ga聚集进行研究。采用固态硒源后硒化三步法：衬底温度400℃～500℃，硒源温度220℃;550℃无Se热处理；衬底温度550℃，硒源温度220℃。硒化是影响薄膜Ga扩散的关键。采用后硒化三步法在玻璃衬底上制备的CIGS薄膜器件效率10.08％，开路电压498mV，填充因子63.08%。

关键词： 铜铟镓硒薄膜 制备工艺 固态硒源 温度控制

作者: 毕金莲 敖建平 姚立勇 高守帅 孙国忠 周志强 何青 孙云

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室,天津3000711

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 106-108

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）