溅射富Se CIGS靶材加无Se气氛退火制备CIGS电池

摘要：

本文通过溅射富Se CIGS靶材制备获得富Se成分的沉积态CIGS薄膜，并对沉积态薄膜在无Se源保护性气氛下进行晶化退火，获得具有富Se成分、单一黄铜矿相组成且电子学性能良好的CIGS吸收层和相应CIGS电池。采用该工艺方法初步制备得到的CIGS电池最高光电转化效率己达8.95％。

关键词： 薄膜太阳能电池 制备工艺 电子学性能 转换效率

作者: 李晓龙 赵明 庄大明 曹明杰 欧阳良琦 郭力 孙汝军 高泽栋

作者单位: 清华大学材料学院,北京100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 111-113

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）