高效GaInNAs电池材料的基础研究
本工作通过对GaInNAs材料合成条件的探究,掌握了MBE法制备GaInNAs材料的实验参数,观察了GaInNAs薄膜表面的典型特征,发现了生长温度、Ⅴ/Ⅲ流量比和生长速率对GaInNAs材料质量的影响趋势。通过优化合成条件,己实现了高晶体质量GaInNAs薄膜的可重复制备。
薄膜太阳能电池 化合物半导体 制备工艺 质量控制
石璘 李景灵 孙强 李国强
中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300381 华南理工大学材料科学与工程学院 发光材料与器件国家重点实验室,广州510640
国内会议
北京
中文
118-120
2015-10-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)