碲化镉多晶薄膜的气相输运沉积及与金属接触电阻测量

气相输运法制备的多晶CdTe薄膜经过CdCl2气氛下退火处理后,晶粒明显增大,晶界消融,晶粒对(111)面的取向增强。CdTe和Au、Ni、Co和Cu间的接触电阻率,在经过热退火处理后,下降一个数量级;在CdTe和金属电极之间加一层ZnTe:Cu过渡层并退货后,CdTe/metal接触电阻率进一步下降一个数量级。
碲化镉多晶薄膜 气相沉积 金属接触电阻 晶粒大小
刘才 刘霄 张静全 冯良桓 武莉莉 李卫 黎兵 曾广根 王文武
四川大学材料科学与工程学院,成都610064
国内会议
北京
中文
124-126
2015-10-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)