氢气中溅射制备掺铝氧化锌薄膜及其在晶体硅太阳电池中的应用研究
本工作中在溅射气氛中加入氢气,将氢原子掺入AZO材料中,制备了电阻率为6×10-40hm·cm左右的薄膜,光学透过率为82%左右。将这种AZO薄膜制备在制绒单晶硅电池上,能有效地使反射率降低到4.5%左右,表面方阻降低到100hm左右,晶体生长状况良好。
晶体硅太阳电池 氧化锌薄膜 制备工艺 光学透过率
陈文理 洪瑞江
中山大学太阳能系统研究所,广州
国内会议
北京
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201-204
2015-10-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)