缺陷对InP-Si异质结太阳电池效率影响的wx-AMPS模拟
本文通过使用wx-AMPS软件，模拟了InP的体内缺陷（带隙内定域缺陷态和带尾定域缺陷态）和InP与Si接触界面态缺陷对InP-Si异质结太阳电池电性能参数的影响。模拟结果表明InP带隙内定域类施主态缺陷对电池的效率基本没有影响，而类受主态缺陷的密度NAG则对电池效率影响较为显著，当NAG超过1E16cm-3后，开路电压、填充因子和电池效率都急剧地衰减。带尾定域缺陷态密度超过1E21cm-3eV-1后，四个电性能参数都急剧衰减，这说明InP薄膜的结晶性非常重要。InP与Si的界面态缺陷密度Dn是影响最大的因素，当Dit高于5E16cm-2时，下降的趋势则变得迅速，而且幅度也很大。最后通过优化各个参数并结合实际情况，模拟了InP-Si异质结太阳电池的理论效率，得到开路电压VOC为0.8437V，短路电流ISC为39.8199mA/cm2，填充因子FF为84.3042％，转换效率Effi为28.3237%。
异质结太阳电池 界面态缺陷 参数优化 转换效率
邱开富 沈辉
中山大学太阳能系统研究所
国内会议
北京
中文
223-232
2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）