CH3NH3PbI3/n-Si异质结太阳电池的设计与模拟

摘要：

本文采用wxAMPS软件模拟CH3NH3Pbl3/n-Si异质结太阳电池的性能，探究CH3NH3Pbl3薄膜的厚度、CH3NH3Pbl3和硅片的掺杂浓度、界面态对电池性能的影响。表明CH3NH3Pbl3薄膜的最佳厚度为50nm，薄膜的掺杂浓度应该不高于1×l015cm-3，n-Si最佳掺杂浓度为l×l017cm-3。而且，降低CH3NH3Pbl3/n-Si界面缺陷态密度对提高电池的开压及效率具有重要意义。考虑界面缺陷态的影响，进一步优化背表面的复合速率，CH3NH3Pbl3/n-Si异质结太阳得到电池的理想效率为20.43％。

关键词： 异质结太阳电池 结构设计 开路电压 转换效率

作者: 包杰 吴伟梁 沈辉

作者单位: 中山大学太阳能系统研究所,广州510006

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 268-271

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）