非掺杂硅基异质结太阳能电池的制备与研究

摘要：

采用室温磁控溅射氧化钼制备的氧化钼薄膜来代替HIT电池中的P型掺杂a-Si。可以看出各个层之间紧密连接，薄膜光滑，致密。在不通入氧气溅射获得的非化学计量比的MoOx(2<x<3)，其电池效率比MoO3要高很多。原因是MoOx的电导率比MoO3高2-6个数量级，并且MoOx存在氧空位，在带隙中形成缺陷态，对于空穴的输运具有重要的作用。在能形成连续层和电子阻挡层的前提下，MoOx越薄越好。采用室温磁控溅射得到非掺杂硅基异质结太阳能电池最高效率为10.91％.

关键词： 硅太阳能电池 制备工艺 氧化钼 转换效率

作者: 陈伟 刘尧平 杨丽霞 王燕 梁会力 梅增霞 Andrej Kuznetsov 杜小龙

作者单位: 中国科学院物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室,北京100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 290-292

在线出版日期: 2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）