单分散硅纳米晶粒的非热等离子体合成及其光、电学和光伏特性研究
本研究中，利用非热等离子体技术从四氯化硅前驱物中成功制备出了尺寸在6纳米左右的单分散硅纳米晶粒。为了提高其电学特性，对制得的硅纳米晶粒进行了氢氟酸刻蚀处理及轻微氧化后处理。在此基础上，系统研究了结晶度对硅纳米晶粒光、电学以及光伏特性的影响。利用不同射频功率制备得到的硅纳米晶粒拉曼光谱。480cm-l处颗粒晶化度将随着功率的增加而增加。利用65W功率制备的颗粒具有很好的结晶性能。利用不同晶化度的硅纳米晶粒，制备了薄膜晶体管，从而获得了晶粒的迁移率。同时在此基础上制备了基于硅纳米晶粒的有机／无机杂化太阳电池，电池结构.
硅纳米晶粒 合成工艺 非热等离子体 电学特性 光伏特性
丁毅 野崎智洋 张晓丹 赵颖
光电子薄膜器件与技术研究所 南开大学电子信息与光学工程学院,天津300071;东京工业大学大学院理工学研究科,日本东京152-8550 东京工业大学大学院理工学研究科,日本东京152-8550 光电子薄膜器件与技术研究所 南开大学电子信息与光学工程学院,天津300071
国内会议
北京
中文
293-294
2015-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）