Graphene/AlGaN/GaN双异质结HEMT电子输运特性研究
本文研究了考虑外加栅压下的graphene/AlGaN/GaN双异质结中的单层石墨烯引起的远程表面粗糙散射以及远程电荷散射。石墨烯诱导了远程表面粗糙散射以及远程电荷散射，但是单层石墨烯的有效地接触克服了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管表面漏电流问题。单层石墨烯引起的远程表面粗糙散射以及远程电荷散射数值上比界面粗糙散射与失配位错散射高出了一个数量级以上，因此石墨烯对电子迁移率的限制可以被忽略。单层石墨烯的存在还能使得肖特基势垒高度以及AlGaN/GaN沟道中2DEG电子密度得到调控。
高电子迁移率晶体管 电子迁移率 异质结 石墨烯 氮化铝镓 氮化镓 远程表面粗糙散射 远程电荷散射
刘曦文
北京交通大学物理系,北京市 100044
国内会议
哈尔滨
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20-25
2015-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）