Ga-F共掺杂ZnO导电性的第一性原理计算
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对本征ZnO,Ga、F单掺ZnO和Ga-F共掺ZnO的几何结构进行优化后计算了各体系的相关性质.结果表明各掺杂体系有各自的优缺点,在制作透明导电薄膜时可根据具体要求采取不同的掺杂方案.Ga掺杂ZnO比F掺杂ZnO的晶格畸变小.相同环境下Ga原子比F原子更容易进入ZnO晶格,因此掺杂后结构更加稳定.Ga、F掺杂都改善了ZnO的导电性,掺杂ZnO的载流子浓度比本征ZnO增加了3个数量级,相同浓度的F掺杂比Ga掺杂能产生更多的载流子.Ga-F共掺杂ZnO折中了上述Ga、F单掺杂ZnO的优缺点.
氧化锌 掺杂改性 镓元素 氟元素 导电性
何静芳 吴一 史茹倩 周鹏力 郑树凯
河北大学电子信息工程学院计算材料与器件模拟研究中心,河北省 保定市 0710021
国内会议
哈尔滨
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143-149
2015-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）