SiC-MOSFET和Si-IGBT在永磁同步电机驱动器中的对比研究
与传统Si-IGBT相比,SiC-MOSFET具有更高开关速度和更高结温,有利于减小PMSM电机驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率.先针对1kW永磁同步电机,分别对SiC-MOSFET基和Si-IGBT基电机驱动器进行了损耗计算分析,并设计制作了基于两种功率器件的PMSM电机驱动器,对损耗、效率、散热器温升以及低速下死区效应的影响进行了实验对比,研究表明SiC-MOSFET可使永PMSM电机驱动系统获得更高的效率、功率密度和更好的动态性能.
永磁同步电机 驱动器 半导体材料 性能表征
聂新 秦海鸿 谢昊天 马策宇 赵朝会
江苏省新能源发电与电能变换重点实验室,南京航空航天大学 江苏 南京 210016 电气学院,上海电机学院 上海 200240
国内会议
北京
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1-7
2015-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）