基于碳化硅器件的全桥变换器研究
本文针对碳化硅MOSFET的驱动电路进行了优化,并搭建了移相全桥变换器样机对驱动电路的实际工作效果及变换器效率进行了验证,实验结果对基于碳化硅器件的变换器设计具有一定指导意义.与硅MOSFET相比,由于具有阻断电压高、通态电阻小、开关速度快等优势,碳化硅MOSFET有助于显著提高变换器性能.但是由于材料、结构、应用场合等方面的差异,碳化硅MOSFET在具有较优参数特性的同时,也存在门极开启电压阈值和门极电压极限值较低等问题,限制了其性能优势的充分发挥.
变换器 驱动电路 性能优化 碳化硅器件
钟志远 赵朝会 秦海鸿 徐克峰 马策宇
江苏省新能源发电与电能变换重点实验室,南京航空航天大学 江苏 南京 210016 电气学院,上海电机学院 上海 上海 200240
国内会议
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2015-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）