1200V碳化硅MOSFET的动静态特性与损耗特性分析

摘要：

本文对1200V级碳化硅MOSFET的动静态特性进行了系统完整的测试和分析,并将其功率损耗特性与相同功率等级的硅基MOSFET进行了实验测试与对比.结果表明,采用碳化硅MOSFET可以大幅度减小电力电子装置的功率损耗,特别是器件的通态损耗.相比于采用硅基MOSFET的电力电子变换器,采用碳化硅功率器件的装置其器件损耗可以减少60％以上.

关键词： 碳化硅器件 动态特性 静态特性 损耗特性

作者: 林翔 孙凯 陆杨军 刘华吾 吴红飞 邢岩

作者单位: 清华大学电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室,北京市 海淀区 100084 南京航空航天大学自动化学院,江苏省 南京市 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2015-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）