一种新型的SiCMOSFET电路模型
为准确的描述SiC MOSFET的静态特性和动态特性,本文提出了一种新型的SiC MOSFET的PSpice仿真模型.该模型由一个理想的MOSFET,加上外围电路元件组成.为获得SiC MOSFET的转移特性和输出特性,建立LEVEL1MOSFET模型.通过datasheet提供的转移特性和输出特性曲线图,选取采样点,简化参数提取流程.为获得更加准确的开通与关断波形,本文采用了一种新型的压控栅漏电容子电路作为SiC MOSFET的栅漏电容,通过栅漏电容的数学表达式,量化SiC MOSFET的栅漏电容在开关过程中的变化.此外,基于本文提出的SiC MOSFET模型,对SiC MOSFET在室温下的静态特性和动态特性进行了仿真.最后,基于boost实验平台对SiC MOSFET的开关特性进行了测试.测试结果与仿真结果的对比验证了本文所提出的SiC MOSFET电路模型的正确性.
碳化硅器件 电路模型 转移特性 输出特性
徐艳明 李虹 郑琼林 孙凯
北京交通大学电气工程学院 北京 100044 清华大学电机系电力系统国家重点实验室 北京 100084
国内会议
北京
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2015-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）