基于封装集成的高功率密度SiC单相逆变器的热分析及优化设计

摘要：

本文针对一种新型的基于封装集成的高功率密度SiC单相逆变器进行热分析及优化设计.利用基于CFD的三维热分析软件Flotherm,采用强迫风冷设计,通过对SiC半桥封装模块的装配结构、散热器的材料和翅片数量以及整机风扇热流动的优化设计,使得磁芯温度低于90℃,SiC芯片温度低于80℃,壳温低于50℃,具有良好的散热效果,整机的功率密度达到50W/in3.

关键词： 逆变器 热分析 优化设计 温度控制

作者: 方建明 陈材 康勇 吴燕庆

作者单位: 华中科技大学物理学院,武汉 430074;华中科技大学强电磁工程与新技术国家重点实验室,武汉 430074;华中科技大学国家脉冲强磁场科学中心,武汉 430074 华中科技大学国家脉冲强磁场科学中心,武汉 430074 华中科技大学强电磁工程与新技术国家重点实验室,武汉 430074;华中科技大学国家脉冲强磁场科学中心,武汉 430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2015-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）