基于双脉冲测试平台的SiC MOSFET与Si MOSFET开关特性的对比

摘要：

本文简要分析了SiC MOSFET与Si MOSFET的物理特性及静态特性,从而得到了SiC MOSFET具有更小的功率损耗和更适合应用在高压高频场合等优点.并针对其动态特性如开关速度、损耗等,通过双脉冲测试平台进行对比试验,试验结果表明:SiCMOSFET与Si MOSFET相比,具有开关延迟时间短,开关速度快,开关损耗小等优点.

关键词： 碳化硅器件 硅器件 开关特性 双脉冲测试平台

作者: 李新秀 郝瑞祥 郭希铮

作者单位: 北京交通大学电气工程学院 北京 100044

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2015-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）