原子氧暴露对W18O49纳米线薄膜阴极表面隧穿特性的影响

摘要：

本文着重研究了原子氧暴露对W18O49纳米线薄膜表面价态、组分及其场致电子隧穿特性的影响.结果表明:原子氧暴露会导致W18O49纳米线表面(w5+/w6+)含量降低41.7％,同时暴露后的表面功函数增加～0.29 eV,这是源于表面电偶极子引起的能带弯曲.基于Fowler-Nordheim (F-N)理论曲线与实验曲线能较好吻合,提出了引起W18O49纳米线薄膜表面隧穿特性下降的直接原因.

关键词： 氧化钨纳米线薄膜 原子氧暴露 表面价态 隧穿特性

作者: 赵传熙 谢伟广

作者单位: 暨南大学理工学院物理学系,思源实验室,广东广州510632

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014年广东省真空学会学术年会

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 47-48

在线出版日期: 2014-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）