非晶氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
目前,有源显示技术中普遍使用非晶硅(a-Si∶H)和低温多晶硅(LTPS)作为半导体沟道层制备薄膜晶体管(TFTs).然而面对超高清大屏显示、OLED显示、3D显示、透明显示以及柔性显示等新一代显示技术,传统硅基TFTs呈现出不足:a-Si∶H TFTs的迁移率较低(＜1cd/Vs),电流供给能力较弱,限制了器件的响应速度,无法满足55英寸(240HZ)以上大尺寸超高清AMLCD的需求,更加无法适用于电流驱动的AMOLED显示.本文将结合作者课题组在新型AOS沟道层材料、TFT器件及其工艺方面的研究工作和阶段性成果，介绍当前AOS-TFTs的研究进展。非晶氧化物半导体薄膜晶体管(AOS-TFTs)凭借其迁移率高、可见光透明性好、均匀性优良以及工艺温度低等特点，有望应用于新型显示技术。尽管目前基于非晶In-Ga-Zn-0(a-IGZO)沟道层的TFTs的研究己取得了实质性进展并获得应用，但是AOS-TFTs仍有许多研究工作尚未开展或者深入，如新型AOS沟道层材料，少含甚至不含In的AOS沟道层材料与工艺，新型的介质层材料与工艺等。
半导体薄膜晶体管 非晶氧化物 沟道层 制备工艺
张群
复旦大学材料科学系,上海200433
国内会议
珠海
中文
5-5
2013-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）