反射器位置对生长大尺寸硅单晶热场影响的数值模拟

摘要：

数值模拟技术是分析和优化大直径硅单晶生长的有效工具.本文采用有限元分析软件FEMAG-CZ计算了300mm直拉硅单晶生长过程中,反射器位置对生长界面温度梯度、V/G比值、固/液界面上方晶体内热应力值的影响.模拟采用Mix-length Turbulence模型并考虑了熔体和气体流动等物理现象.计算结果表明通过对反射器位置的精确调节可以改变局部温度梯度及热应力分布,藉此提高大尺寸硅单品质量。

关键词： 直拉硅单晶 生长过程 热场 反射器位置

作者: 滕冉 屠海令 常青 肖清华 周旗钢

作者单位: 北京有色金属研究总院,北京100088;有研半导体材料股份有限公司,北京100088 北京有色金属研究总院,北京100088 有研半导体材料股份有限公司,北京100088

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第九届学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 432-434

在线出版日期: 2013-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）